Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252028 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Лазерно-стимулированное перемещение границы p-n-перехода впрямозонных GaAsP-структурах

Сукач Г.А.

Сукач Г.А. Лазерно-стимулированное перемещение границы p-n-перехода впрямозонных GaAsP-структурах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 6, Стр. 753

Аннотация Экспериментально обнаружено перемещение границы p-n-перехода в прямозонных GaAsP-структурах, подвергнутых мощному облучению сильно поглощаемым излучением лазера. Показано, что причиной такого явления служат преимущественно диффузионные потоки ионов цинка из p- в n- область, которые проявляются в полях термоупругих напряжений, обусловленных значительными градиентами температуры. Установлены зависимости величин перемещения p-n-перехода от параметров лазерного облучения.