Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияСибирский физико-технический институт им. В.Д.Кузнецова, 634050 Томск, Россия * Филиал научно-исследовательского физико-химического института им. Л.Я.Карпова, 249020 Обнинск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Высокотемпературный отжиг и ядерное легирование GaAs, облученного реакторными нейтронами

Брудный В.Н., Колин Н.Г., Новиков В.А., Нойфех А.И., Пешев В.В.

Брудный В.Н., Колин Н.Г., Новиков В.А., Нойфех А.И., Пешев В.В. Высокотемпературный отжиг и ядерное легирование GaAs, облученного реакторными нейтронами // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 811

Аннотация Исследованы электрофизические свойства и спектр глубоких ловушек в GaAs при термообработке, нейтронном облучении и последующем отжиге до Tann=1100 oC. Показано, что при Tann>900 oC в GaAs интенсивно формируются термоакцепторы, что приводит к ухудшению свойств ядерно-легированного материала. Проведены оценки коэффициента использования примеси при ядерном легировании GaAs в зависимости от Tann и интегрального потока нейтронов. Приведены параметры глубоких ловушек в исследованном материале.