Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

О фотоупругости и квадратичной диэлектрической восприимчивости широкозонных полупроводников

Давыдов С.Ю., Тихонов С.К.

Давыдов С.Ю., Тихонов С.К. О фотоупругости и квадратичной диэлектрической восприимчивости широкозонных полупроводников // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 823

Аннотация На основании аналогии между фотоупругими и упругими свойствами полупроводниковых кристаллов получены выражения для модулей фотоупругости. Расчет проделан для широкозонных полупроводников (карбида кремния и нитридов бора, алюминия и галлия) со структурой как сфалерита, так и вюрцита. Также рассчитана квадратичная диэлектрическая восприимчивость для гексагональных структур.