Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Всероссийский электротехнический институт им. В.И.Ленина, 111250 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование электронно-дырочного рассеяния в p-кремнии принизком уровне инжекции носителей заряда

Мнацаканов Т.Т., Поморцева Л.И., Шуман В.Б.

Мнацаканов Т.Т., Поморцева Л.И., Шуман В.Б. Исследование электронно-дырочного рассеяния в p-кремнии принизком уровне инжекции носителей заряда // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 833

Аннотация С помощью предложенного ранее метода для определения параметров электронно-дырочного рассеяния в непрямозонных полупроводниках проведено исследование образцов p-кремния. Для измерения использовались диодные n+-p-p+-структуры. Полученные результаты свидетельствуют о возможности полного увлечения основными дырками неосновных электронов в материале p-типа проводимости при уровне легирования N>1018 см-3 уже при комнатной температуре.