Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Характеристики кремниевых многопереходных солнечных элементов с вертикальными p-n-переходами

Гук Е.Г., Налет Т.А.

Гук Е.Г., Налет Т.А. Характеристики кремниевых многопереходных солнечных элементов с вертикальными p-n-переходами // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 855

Аннотация Для изготовления многопереходных кремниевых солнечных элементов с вертикальными p-n переходами разработана относительно простая технология (без применения фотолитографии), основанная на диффузионной сварке и ионно-плазменном осаждении диэлектрического покрытия. Эффективный коэффициент собирания таких структур не зависит от длины волны падающего света в интервале длин волн lambda=340/1080 нм.