Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Centre d'Electronique et de Micro-optoelectronique de Montpellier, CNRS-Universite UMR 5507, Place Bataillon, 34095 U.M.II, Montpellier ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Шум 1/f в сильно легированном n-GaAs в условиях зона-зонной подсветки

Дьяконова Н.В., Левинштейн М.Е., Pascal F., Румянцев С.Л.

Дьяконова Н.В., Левинштейн М.Е., Pascal F., Румянцев С.Л. Шум 1/f в сильно легированном n-GaAs в условиях зона-зонной подсветки // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 858

Аннотация С помощью измерения низкочастотного шума в условиях сильного геометрического магнетосопротивления исследована природа шума 1/f, проявляющегося в сильно легированном n-GaAs (концентрация электронов n0~=1017 см-3) при зона-зонной подсветке. Показано, что такой шум имеет объемную природу и обусловлен флуктуациями числа носителей (а не подвижности). Впервые экспериментально показана возможность отличать поверхностный шум от объемного, используя измерения в условиях сильного геометрического магнетосопротивления.