Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Институт микроэлектроники Российской академии наук, 150007 Ярославль, Россия #Philips-Universitat Marburg, D-35032 Marburg, Germany ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотолюминесценция эрбия в аморфном гидрогенизированном кремнии, легированном фосфором

Теруков Е.И., Кузнецов А.Н., Паршин Е.О., Weiser G., Kuehne H.

Теруков Е.И., Кузнецов А.Н., Паршин Е.О., Weiser G., Kuehne H. Фотолюминесценция эрбия в аморфном гидрогенизированном кремнии, легированном фосфором // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 869

Аннотация Исследована фотолюминесценция ионов Er в пленках a-Si : H, легированных фосфором. Наблюдаемое увеличение фотолюминесценции Er с увеличением концентрации дефектов в образцах, а также корреляция температурного хода интенсивностей фотолюминесценции Er и фотолюминесценции, связанной с дефектами, объясняются в рамках модели возбуждения ионов Er в результате оже-рекомбинации с участием дефектов.