Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут аналитическогоо приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия *Физико-технический институт им.А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Формирование наноструктур InGaAs/GaAs методами субмонослойного напыления измолекулярных пучков

Цырлин Г.Э., Петров В.Н., Дубровский В.Г., Поляков Н.К., Типисев С.Я., Голубок А.О., Леденцов Н.Н.

Цырлин Г.Э., Петров В.Н., Дубровский В.Г., Поляков Н.К., Типисев С.Я., Голубок А.О., Леденцов Н.Н. Формирование наноструктур InGaAs/GaAs методами субмонослойного напыления измолекулярных пучков // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 902

Аннотация Методом сканирующей туннельной микроскопии исследованы морфологические характеристики ансамбля нанообъектов InGaAs/GaAs на сингулярных и вицинальных поверхностях GaAs (100). Наноструктуры формировались с использованием различных модификаций молекулярно-пучковой эпитаксии. Установлено, что на морфологию поверхности оказывает сильное влияние как кинетика роста, так и умышленная разориентация поверхности.