Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияНижегородский государственный университет, 603600 Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Нестационарная термоэдс в многослойных структурах сp-n-переходами

Агарев В.Н.

Агарев В.Н. Нестационарная термоэдс в многослойных структурах сp-n-переходами // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 920

Аннотация Показано, что нестационарная термоэдс, возникающая в многослойных структурах с p-n-переходами с характерными временами нарастания и спада порядка секунды, может на несколько порядков превышать стационарную термоэдс в однородном полупроводнике. Подобный эффект может наблюдаться как в поликристаллических пленках, так и в искусственно созданных многослойных структур с p-n-переходами с тонкими слоями и может быть использован для создания сверхчувствительных датчиков температуры.