Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Государственный институт редкометаллической промышленности, 109017 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Свойства легировнных теллуром монокристаллов антимонида галлия, выращенных изнестехиометрического расплава

Куницын А.Е., Мильвидская А.Г., Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В.

Куницын А.Е., Мильвидская А.Г., Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В. Свойства легировнных теллуром монокристаллов антимонида галлия, выращенных изнестехиометрического расплава // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 947

Аннотация Исследована электрические и люминесцентные свойства легированных теллуром монокристаллов антимонида галлия, выращенных методом Чохральского из расплава, обогащенного галлием. Установлено, что кристаллы обладют проводимостью n-типа и сильно компенсированы. Обнаружено, что концентрация примеси теллура возрастает к концу слитка быстрее, чем концентрация компенсирующих акцепторов. Обсуждаются возможности формирования свойств монокристаллов GaSb путем использовния для выращивания нестехиометрических расплавов и последующей термообработки материала.