Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Стационарные люкс-амперные характеристики компенсированных кристаллов при произвольном уровне возбуждения

Лебедев А.А.

Лебедев А.А. Стационарные люкс-амперные характеристики компенсированных кристаллов при произвольном уровне возбуждения // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 983

Аннотация Получены в параметрическом виде формулы для расчета стационарных люкс-амперных характеристик фоторезисторов при произвольной концентрации глубоких уровней в них и любой интенсивности возбуждения. Расчеты по этим формулам позволяют в безразмерных величинах определять условия формирования сублинейных и суперлинейных участков люкс-амперной характеристики в зависимости от интенсивности возбуждения, концентрации и параметров глубоких уровней.