Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияОмский государственный университет, 644077 Омск, Россия * Институт сенсорной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, 644077 Омск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Инверсия типа проводимости эпитаксиальных пленок твердых растворов PbSnTe при воздействии лазерного излучения допороговой мощности

Греков Ю.Б., Семиколенова Н.А., Шляхов Т.А.

Греков Ю.Б., Семиколенова Н.А., Шляхов Т.А. Инверсия типа проводимости эпитаксиальных пленок твердых растворов PbSnTe при воздействии лазерного излучения допороговой мощности // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 990

Аннотация Исследованы процессы инверсии типа проводимости в эпитаксиальных пленках Pb1-xSnxTe при воздействии непрерывного излучения CO2-лазера (lambda=10.6 мкм) допороговой мощности. Предполагается, что стабильное инверсионное состояние возникает вследствие образования нейтральных бивакансий металла и халькогена.