Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Природа центров Ec-0.37 эВ и образование высокоомных слоев вSin-типа проводимости

Наумова О.В., Смирнов Л.С., Стась В.Ф.

Наумова О.В., Смирнов Л.С., Стась В.Ф. Природа центров Ec-0.37 эВ и образование высокоомных слоев вSin-типа проводимости // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 993

Аннотация Методами DLTS и Ван-дер-Пау проведено исследование формирования центров Ec-0.37 эВ, ответственных за образование высокоомных слоев в облученном электронами и отожженном в температурном интервале 80/ 320oC n-Si. Анализ экспериментальных данных позволил сделать вывод о составе центров Ec-0.37 эВ ([V--O--C]) и заключить, что их формирование стимулировано потоком межузельных атомов кремния(I) и углерода(Ci) от границы раздела в объем полупроводника в процессе отжига с прохождением следующих реакций: 1)I+Cs-> Ci, Ci+[V-O]-> [V-O-C] (доминирующая реакция), 2)I+V2-> V, V+[C-O]-> [V-O-C].