Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние качества гетерограниц на спектры циклотронного резонанса гетероструктур InAs/(AlGa)Sb

Васильев Ю.Б., Сучалкин С.Д., Иванов С.В., Мельцер Б.Я., Цацульников А.Ф., Неклюдов П.В., Копьев П.С.

Васильев Ю.Б., Сучалкин С.Д., Иванов С.В., Мельцер Б.Я., Цацульников А.Ф., Неклюдов П.В., Копьев П.С. Влияние качества гетерограниц на спектры циклотронного резонанса гетероструктур InAs/(AlGa)Sb // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1246

Аннотация Проведены измерения циклотронного резонанса в одиночных квантовых ямах InAs--AlGaSb IIтипа, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии при различных условиях роста. Обнаружены квантовые осцилляции в спектрах циклотронного поглощения в образцах InAs--GaSb, которые объясняются рассеянием на короткодействующем потенциале, обусловленном шероховатостью гетерограницы. Предлагается новый метод оценки качества гетерограницы, основанный на измерении спектров циклотронного резонанса.