Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Университет Авейро, Авейро, Португалия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование экситонной электролюминесценции p-n-структур наоснове 6H-SiC, полученных сублимационной эпитаксией

Лебедев А.А., Полетаев Н.К., до Кармо М.Ц.

Лебедев А.А., Полетаев Н.К., до Кармо М.Ц. Исследование экситонной электролюминесценции p-n-структур наоснове 6H-SiC, полученных сублимационной эпитаксией // ФТП, 1997, том 31, выпуск 11, Стр. 1347

Аннотация Проведено исследование спектров электролюминесценции p-n-структур на основе 6H-SiC, полученных сублимационной эпитаксией. Обнаружено, что интенсивность экситонной полосы быстро увеличивается с ростом плотности прямого тока и что данная полоса становится преобладающей в спектре излучения диода при больших плотностях прямого тока и повышенных температурах. Исследование сдвига положения максимума излучения данной полосы с ростом температуры показывает, что она скорее всего обусловлена рекомбинацией свободного экситона.