Профиль » Публикация

Аннотация Исследованы при 77 K спектры фотолюминесценции, связанные с двумерным электронным газом в модулированно-легированных гетероструктурах N-AlGaAs/GaAs с различными толщинами нелегированного спейсер-слоя ds. Все исследованные образцы имели нелегированный сверхрешеточный буферный слой (в качестве второго гетероперехода), расположенный на расстоянии da ниже основного гетероперехода. Выполнен теоретический анализ полученных данных путем их сравнения со спектрами, рассчитанными на основе самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона. Для 13=< da=< 40 нм спектры фотолюминесценции имели две линии при энергиях фотонов hnu1 и hnu2 (hnu2>hnu1) с интенсивностями I1 и I2 соответственно. Эта дублетная структура связана с оптическими переходами между нижними электронными подзонами E1e, E2e и низшими подзонами тяжелых E1hh, E2hh и легких E1lh дырок. Показано, что отношение интенсивностей I2/I1 при снижении ds вызвано увеличением заселенности верхней подзоны E2e и уменьшением вероятности оптических переходов из нижней подзоныE1e. Сдвиг обоих линий в этом случае в сторону меньших энергий связан с увеличением изгиба зон. Показано, что изменение расстояния da различным образом влияет на величины I1, I2 и спектральное положение компонентов дублета hnu1, hnu2. Это связано с существенным различием пространственной протяженности волновых функций электронов Psi1e(z) и Psi2e(z).