Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияМосковский институт стали и сплавов, 119235 Москва, Россия * Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119899 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Люминесценция p-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при ударной ионизации

Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И., Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Юнович А.Э.

Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И., Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Юнович А.Э. Люминесценция p-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при ударной ионизации // ФТП, 1998, том 32, выпуск 1, Стр. 63

Аннотация Исследованы спектры люминесценции p-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при обратном смещении, достаточном для ударной ионизации. Инжекционная люминесценция светодиодов с такими структурами была изучена ранее. В активном слое InGaN гетероструктур существует сильное электрическое поле, и при малом обратном смещении преобладает туннельная составляющая тока. Лавинный пробой начинается при напряжениях Vth>8/10 В, т. е. ~3Eg (Eg--- ширина запрещенной зоны), в отличие от слабо легированных структур. Спектры излучения имеют коротковолновый край, соответствующий ширине запрещенной зоны GaN (3.40 эВ), и максимумы в области 2.60/2.80 эВ, соответствующие максимумам спектров инжекционной люминесценции в активном слое. Длинноволновый край спектров в области 1.7/1.8 эВ может быть связан с глубокими уровнями рекомбинации. Обсуждаются механизмы рекомбинации горячей электронно-дырочной плазмы в сильных электрических полях p-n-гетероструктур.