Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Переходный фототок в структурах аморфный, пористый полупроводник--кристаллический полупроводник

Казакова Л.П., Лебедев Э.А.

Казакова Л.П., Лебедев Э.А. Переходный фототок в структурах аморфный, пористый полупроводник--кристаллический полупроводник // ФТП, 1998, том 32, выпуск 2, Стр. 187

Аннотация Проведено исследование переходного фототока в структурах аморфный (пористый) полупроводник--кристаллический полупроводник методом измерения времени пролета в условиях дрейфа малого заряда в образце. В структурах использовались аморфные материалы системы Se--As, пористый Si, а также кристаллические полупроводники Si и CdSe. Определены значения дрейфовой подвижности носителей заряда в слоях, входящих в структуры. Показано, что появление максимума на кривых переходного фототока, полученных в структурах, обусловлено эффектом ускорения носителей заряда на границе между аморфным (пористым) слоем и кристаллом. Установлено влияние этого эффекта на значение дрейфовой подвижности и величину дисперсионных параметров.