Профиль » Публикация
Опубликовано
1998-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Истощение инверсного электронного канала на гетерогранице IIтипа в системе p-GaInAsSb/p-InAs
Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Розов А.Е., Яковлев Ю.П. Истощение инверсного электронного канала на гетерогранице IIтипа в системе p-GaInAsSb/p-InAs // ФТП, 1998, том 32, выпуск 2, Стр. 215
Аннотация
Исследованы транспортные свойства одиночных гетероструктур IIтипа p-GaInAsSb/p-InAs и параметры электронного канала в зависимости от уровня легирования акцепторами четверного эпитаксиального слоя GaInAsSb. Обнаружено резкое падение подвижности в электронном канале на гетерогранице при сильном легировании твердого раствора, что может быть связано с переходом от полуметаллической проводимости к полупроводниковой и обусловлено сужением электронного канала и сильной локализацией электронов в ямах потенциального рельефа на интерфейсе.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален