Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизический институт им.П.Н.Лебедева Российской академии наук, 117924 Москва, Россия *Институт общей физики Российской академии наук, 117924 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследования структуры пористого фосфида галлия

Заварицкая Т.Н., Караванский В.А., Квит А.В., Мельник Н.Н.

Заварицкая Т.Н., Караванский В.А., Квит А.В., Мельник Н.Н. Исследования структуры пористого фосфида галлия // ФТП, 1998, том 32, выпуск 2, Стр. 235

Аннотация Впервые получены свободные пленки пористого GaP и исследована их микроструктура методами просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) и комбинационного рассеяния света (КРС). Результаты ПЭМ показали, что микроструктура пленок пористого GaP имеет сложное пространственное строение, но при этом локальная кристаллографическая ориентация сохраняется и соответствует исходной подложке. В спектре КРС обнаружены эффекты сужения полуширины пика LO-колебаний с одновременным сдвигом в низкочастотную область, которые могут быть удовлетворительно объяснены изменением плазмон-фононного взаимодействия в результате уменьшения концентрации носителей. Обнаружен также сдвиг частоты поверхностных колебаний пористого GaP в зависимости от локальных условий формирования пор. Показано, что принципиально возможно получить пористые слои без заметного покрытия поверхности пор окислами или другими продуктами электрохимической реакции.