Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Лазеры на основе InAsSbP-двойных гетероструктур для спектрального диапазона 2.7--3.0мкм (T=77K)

Данилова Т.Н., Данилова А.П., Ершов О.Г., Именков А.Н., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П.

Данилова Т.Н., Данилова А.П., Ершов О.Г., Именков А.Н., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Лазеры на основе InAsSbP-двойных гетероструктур для спектрального диапазона 2.7--3.0мкм (T=77K) // ФТП, 1998, том 32, выпуск 2, Стр. 241

Аннотация Лазеры, излучающие в спектральном диапазоне 2.7--3.0мкм, созданы методом жидкофазной эпитаксии на основе InAsSbP-двойных гетероструктур с разным содержанием фосфора в активной и широкозонных областях. Лазеры имеют при 77K пороговую плотность тока ~0.8кА/см2 и работают в импульсном режиме до ~124K с предельной пороговой плотностью тока 10--12кА/см2. Лазеры имеют низкое последовательное сопротивление ~0.45Ом.