Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников, Сибирское отделение Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние исходного уровня легирования бором на его распределение, возникающее при термообработке в облученном ионами бора кремнии

Ободников В.И., Тишковский Е.Г.

Ободников В.И., Тишковский Е.Г. Влияние исходного уровня легирования бором на его распределение, возникающее при термообработке в облученном ионами бора кремнии // ФТП, 1998, том 32, выпуск 4, Стр. 417

Аннотация Методом масс-спектрометрии вторичных ионов исследована зависимость пространственного распределения бора, возникающего в облученном ионами B+ кремнии в результате отжига при температуре 900oC, от исходной концентрации бора в диапазоне (1/9)·1019 см-3. Установлено, что если исходная концентрация бора превышает предельную растворимость для используемой температуры отжига, то на концентрационных профилях примеси вблизи границ разупорядоченной облучением области возникают два дополнительных максимума. Предполагается, что их образование связано с кластеризацией избытка межузельных атомов примеси, не встроившегося в узлы после вытеснения атомов бора из узловых положений собственными междоузлиями, выходящими из разупорядоченной области.