Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизический институт им. П.Н.Лебедева Российской академии наук 117924 Москва, Россия *Временный адрес: Центр высокотехнологичных материалов, Университет Нью-Мексико, Альбукерке, США ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Излучение квантово-размерных структур InGaAs. II.Форм-фактор однородного уширения

Елисеев П.Г., Акимова И.В.

Елисеев П.Г., Акимова И.В. Излучение квантово-размерных структур InGaAs. II.Форм-фактор однородного уширения // ФТП, 1998, том 32, выпуск 4, Стр. 478

Аннотация Проведен анализ формы спектров спонтанного излучения квантово-размерных структур InGaAs в широком интервале тока при 4.2/ 286 K. Дана интерпретация формы полосы для переходов между низшими подзонами с помощью модифицированного форм-фактора однородного уширения, обсуждается природа его не-лоренцева контура. Обсуждаются свойства семейств функций, представляющих главный переход от лоренцева форм-фактора до гауссова. Они могут быть пригодны для моделирования спектров при не-марковской столкновительной релаксации.