Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияИнститут проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние природы бомбардирующих ионов наобразование радиационных дефектов вкремнии

Барабаненков М.Ю., Леонов А.В., Мордкович В.Н., Омельяновская Н.М.

Барабаненков М.Ю., Леонов А.В., Мордкович В.Н., Омельяновская Н.М. Влияние природы бомбардирующих ионов наобразование радиационных дефектов вкремнии // ФТП, 1998, том 32, выпуск 5, Стр. 523

Аннотация Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) изучено влияние природы имплантированных ионов на формирование электрически активных дефектов в кремнии. Имплантация ионов кислорода O+ и азота N+ дозами 2· 1011 см-2 с энергией 75 кэВ и ионов аргона Ar+ дозой 7· 1010 см-2 с энергией 150 кэВ при температуре мишени 300 K обеспечивала во всех образцах n- и p-Si приблизительно одинаковое количество и пространственное распределение первичных радиационных дефектов. Обнаружено, что спектр устойчивых радиационных дефектов зависит от природы бомбардирующего иона. Так, DLTS-спектр n-Si, облученного ионами O+, имеет три пика, в то время как в спектре n-Si, имплантированного ионами N+, присутствует только один из них. В спектрах DLTS образцов n- и p-Si, имплантированных ионами O+ и N+, обнаружены пики обратной полярности (аномальные), энергетическое положение которых соответствует наиболее выраженным пикам в спектрах образцов кремния противоположного типа проводимости.