Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Дифференциальное сопротивление туннельных контактов Au/GaAs1-xSbx в области нулевой аномалии. II.Контакты к p-GaAs1-xSbx
Полянская Т.А., Аллен Т.Ю., Нажмудинов Х.Г., Савельев И.Г.
Полянская Т.А., Аллен Т.Ю., Нажмудинов Х.Г., Савельев И.Г. Дифференциальное сопротивление туннельных контактов Au/GaAs1-xSbx в области нулевой аномалии. II.Контакты к p-GaAs1-xSbx // ФТП, 1998, том 32, выпуск 5, Стр. 579
Аннотация Исследовано дифференциальное сопротивление R(V)=dV/dI туннельных контактов Au/p-GaAs1-xSbx. Барьеры Шоттки изготавливались на эпитаксиальных слоях твердого раствора p-GaAs1-xSbx (0.045

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален