Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияИнститут проблем материаловедения им.И.Н.Францевича Национальной академии наук Украины, 252680 Киев, Украина *Национальный технический университет "Киевский политехнический институт", 252056 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Энергия связи экситонно-примесных комплексов вполупроводниках соструктурой алмаза ицинковой обманки

Зубкова С.М., Смелянская Е.В., Шульзингер Е.И.

Зубкова С.М., Смелянская Е.В., Шульзингер Е.И. Энергия связи экситонно-примесных комплексов вполупроводниках соструктурой алмаза ицинковой обманки // ФТП, 1998, том 32, выпуск 5, Стр. 583

Аннотация Энергии связи четырех комплексов: экситон + заряженная примесь, экситон + нейтральная примесь рассчитывались вариационным методом в полупроводниках со структурой типа алмаза и цинковой обманки с учетом вырождения края валентной зоны. Численные расчеты проделаны для экситонно-примесных комплексов в ряде кристаллов типа AIIBVI, AIIIBV и AIVBIV.