Профиль » Публикация

Аннотация Теоретически и экспериментально исследовано влияние высокой генерационно-рекомбинационной способности омического контакта (S-контакт) на процессы эксклюзии--аккумуляции в структурах с антизапорным контактом (асимметричных структурах типа p+-p-S). Показано, что в отличие от традиционно исследуемой симметричной структуры p+-p-p+ в рассматриваемой структуре в зависимости от направления тока формируется либо область аккумуляции, либо область эксклюзии. Концентрация неравновесных носителей в слое аккумуляции оказывается значительно выше, а эксклюзионная область длиннее, чем в симметричной структуре. Для Ge при 300 K экспериментально получено 100-кратное превышение концентрации n по отношению к равновесному значению n0. Протяженность эксклюзионной области достигала 96% длины образца. Предложены области применения структур с антизапорным и омическим контактами на базе узкозонных материалов.