Профиль » Публикация
Опубликовано
1998-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Самоорганизующиеся наногетероструктуры в твердых растворахInGaAsP
Вавилова Л.С., Иванова А.В., Капитонов В.А., Мурашова А.В., Тарасов И.С., Арсентьев И.Н., Берт Н.А., Мусихин Ю.Г., Пихтин Н.А., Фалеев Н.Н. Самоорганизующиеся наногетероструктуры в твердых растворахInGaAsP // ФТП, 1998, том 32, выпуск 6, Стр. 658
Аннотация
Исследованы фотолюминесцентные и микрорентгеноструктурные свойства эпитаксиальных слоев твердых растворов InGaAsP, изопериодических с подложками InP (100) и GaAs (100), полученных в области несмешиваемости и спинодального распада. Показано хорошее согласие экспериментальных результатов с теоретической моделью спинодального распада. Определены границы области существования двух твердых фаз различного состава в эпитаксиальных слоях твердых растворов InGaAsP, изопериодических с подложками InP и GaAs. Получена периодическая наногетероструктура в эпитаксиальном слое твердых растворов InGaAsP с периодом повторения 650± 30 Angstrem в двух взаимно перпендикулярных направлениях.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален