Профиль » Публикация

Аннотация С помощью нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней исследовано влияние атомов Ge на поведение Mn в Si. Показано, что атомы Ge, введенные в Si в процессе выращивания, не проявляют электрической активности, хотя их концентрация достаточно высокая: 1016/ 1019 см-3. Установлено, что наличие атомов Ge в решетке Si приводит к увеличению эффективности образования глубоких уровней Ec-0.42 эВ и Ec-0.54 эВ, связанных с Mn в решетке Si: концентрация этих глубоких уровней в образцах Si<Ge, Mn> в3--4 раза выше, чем в Si<Mn>. Обнаружено, что присутствие атомов Ge стабилизирует свойства уровней Mn в Si: их отжиг происходит в 5--6раз медленнее, чем в Si<Mn>. Предполагается, что обнаруженные эффекты связаны с особенностями дефектной структуры Si, легированного Ge и Mn.