Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияВоронежская государственная технологическая академия, 394017 Воронеж, Россия *Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Поверхностная подвижность ираспределение электронов вобогащенном слое гетероструктур Ga2Se3--GaAs

Антюшин В.Ф., Арсентьев И.Н., Власов Д.А.

Антюшин В.Ф., Арсентьев И.Н., Власов Д.А. Поверхностная подвижность ираспределение электронов вобогащенном слое гетероструктур Ga2Se3--GaAs // ФТП, 1998, том 32, выпуск 6, Стр. 718

Аннотация Измерены зависимости дрейфовой подвижности электронов в обогащенных каналах проводимости гетероструктур Ga2Se3--GaAs от поверхностной плотности зарядов. Обнаружено наличие зарядовой связи по обогащенному слою, достаточной для создания электротехнических (или микроэлектронных) приборов.