Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Деградация туннельных МОП структур при высокой плотности тока

Грехов И.В., Шулекин А.Ф., Векслер М.И.

Грехов И.В., Шулекин А.Ф., Векслер М.И. Деградация туннельных МОП структур при высокой плотности тока // ФТП, 1998, том 32, выпуск 6, Стр. 743

Аннотация Исследована стойкость туннельно-тонких (2/3 нм) пленок SiO2 к длительному протеканию токов высокой плотности (102/103 А/см2). Обнаружено резкое возрастание заряда, который туннельная МОП структура способна пропустить через себя без деградации при переходе от инжекции Фаулера--Нордгейма к прямому туннелированию (соответственно 103 Кл/см2 и 107 Кл/см2). Исследование деградации пленок SiO2 проводилось с использованием тиристорных структур Al/SiO2/n-Si/p+-Si при положительном смещении на полупроводнике, т. е. при обратном смещении МОП структуры. Это позволило обеспечить однородность распределения тока по площади, а также контролировать состояние диэлектрического слоя путем измерения усиления прибора в фототранзисторном режиме.