Профиль » Публикация

Аннотация Построена строгая аналитическая теория блокирующего состояния тиристоров и транзисторов с электростатическим управлением (ТЭУ) и скрытым затвором произвольной формы. Задачи о распределении потенциала в базе, высоте барьера для электронов и вольт-амперной характеристике в подпороговой области решены в квадратурах методом конформных отображений. Показано, что подпороговый ток jd для ТЭУ с нелегированной и слабо легированной базой зависит от потенциалов затвора Ug и стока Ud по закону ln jd прапорционально - Ug(g-Ud/Ug)3/2 вне зависимости от типа проводимости, где g--- коэффициент блокирования. Если база сильно легирована акцепторами, то ln jd прапорционально - (gUg-Ud)2, однако для транзисторов с электростатическим управлением с сильно легированной базой n-типа аналитическое решение задачи невозможно. В качестве примера подробно рассмотрен вариант глубокого скрытого затвора квазиэллиптической формы, соответствующий конфигурациям реальных приборов. В предельных случаях получены простые формулы для g и параметров вольт-амперных характеристик в зависимости от размеров ячейки ТЭУ, легирования базы и потенциала затвора.