Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 Организация*Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия &#36;Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия -Max-Plank Institut fur Mikrostrukturphy ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Структура слоев индия в низкотемпературном арсениде галлия иееизменение при отжиге в интервале температур 500--700o C

Берт Н.А., Мусихин Ю.Г., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Суворова А.А., Чалдышев В.В., Werner P.

Берт Н.А., Мусихин Ю.Г., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Суворова А.А., Чалдышев В.В., Werner P. Структура слоев индия в низкотемпературном арсениде галлия иееизменение при отжиге в интервале температур 500--700o C // ФТП, 1998, том 32, выпуск 7, Стр. 769

Аннотация Методами просвечивающей электронной микроскопии исследована микроструктура delta-слоев индия в GaAs(001), выращенном молекулярно-лучевой эпитаксией при низкой (200oC) температуре (LT) и содержащем высокую концентрацию (~1020 см-3) точечных дефектов. Установлено, что при delta-легировании индием в количестве, эквивалентном 0.5 или 1 монослою (МС), из-за неровности ростовой поверхности образуются островки InAs с характерным латериальным размером