Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние изовалентного легирования индием наизбыток мышьяка варсениде галлия, выращиваемом методом молекулярно-лучевой эпитаксии принизкой температуре

Чалдышев В.В., Куницын А.Е., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Третьяков В.В., Фалеев Н.Н.

Чалдышев В.В., Куницын А.Е., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Третьяков В.В., Фалеев Н.Н. Влияние изовалентного легирования индием наизбыток мышьяка варсениде галлия, выращиваемом методом молекулярно-лучевой эпитаксии принизкой температуре // ФТП, 1998, том 32, выпуск 7, Стр. 778

Аннотация С использованием методов рентгеноспектрального микроанализа, оптического пропускания в ближнем инфракрасном диапазоне и рентгеновской дифракции показано, что изовалентное легирование индием арсенида галлия в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре приводит к увеличению концентрации избыточного мышьяка, захватываемого в растущий слой.