Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Получение и свойства монокристаллов дисульфида германия

Голубков А.В., Дубровский Г.Б., Шелых А.И.

Голубков А.В., Дубровский Г.Б., Шелых А.И. Получение и свойства монокристаллов дисульфида германия // ФТП, 1998, том 32, выпуск 7, Стр. 827

Аннотация Получены монокристаллы GeS2 кристаллизацией из расплава и газотранспортным методом. Установлено, что кристаллы имеют моноклинную структуру с параметрами элементарной ячейки a=11.45 Angstrem, b=16.09 Angstrem, c=6.7 Angstrem, beta=91o. Измерены спектры отражения и пропускания в области края поглощения. Определена ширина запрещенной зоны, она равна 3.2 эВ.