Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

К вопросу об учете растекания тока в полупроводнике приопределении переходного сопротивления омических контактов

Андреев А.Н., Растегаева М.Г., Растегаев В.П., Решанов С.А.

Андреев А.Н., Растегаева М.Г., Растегаев В.П., Решанов С.А. К вопросу об учете растекания тока в полупроводнике приопределении переходного сопротивления омических контактов // ФТП, 1998, том 32, выпуск 7, Стр. 832

Аннотация Предложена разновидность конфигурации контактных площадок с радиальной геометрией, имеющая ряд преимуществ при определении переходного сопротивления омических контактов (rhoc) изготовленных к подложкам и слоям полупроводника с высокой проводимостью. Рассмотрены различные варианты ее применения как в методе TLM, так и в методе, основанном на численном расчете сопротивления полупроводника с учетом эффекта растекания. Показано, что методы, основанные на использовании TLM, позволяют получить оценку "сверху" величины удельного переходного сопротивления омических контактов в подложкам, а также проведены расчеты возникающей при этом погрешности в зависимости от параметров полупроводника и контакта. Такая оценка является хорошим начальным приближением при определении точного значения rhoc посредством численных расчетов сопротивления полупроводника. Полученные результаты использованы при исследовании удельного сопротивления омических контактов, изготовленных на основе никеля к подложкамn-6H-SiC.