Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургская государственная педиатрическая медицинская академия, 194100 Санкт-Петербург, Россия &#36; Hahn-Meitner Institute, D-12489 Berlin, ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Рекомбинация ваморфном гидрогенизированном кремнии

Коугия К.В., Теруков Е.И., Фус В.

Коугия К.В., Теруков Е.И., Фус В. Рекомбинация ваморфном гидрогенизированном кремнии // ФТП, 1998, том 32, выпуск 8, Стр. 923

Аннотация На основе исследования нестационарной фотопроводимости в a-Si : H сделан вывод о том, что туннельная рекомбинация неравновесных носителей может играть определяющую роль в интервале температур от самых низких (гелиевых) и вплоть до температур, близких к температуре получения материала.