Профиль » Публикация

Аннотация Проведено квантово-химическое моделирование структуры, параметров стабильности и электронного строения дефектов (деформационных, топологических, связевых) в a-S и a-As2S3. Установлено положение в запрещенной зоне локализованных состояний, соответствующих дефектам, в том числе возбуждаемых светом с энергией homega=< Eg. Показано, что общепринятая концепция пар с переменной валентностью (VAP) требует пересмотра по крайней мере в рассматриваемом случае, поскольку образование пары разделенных заряженных точечных дефектов типа C+3 и C-1 требует слишком больших энергетических затрат. С другой стороны, по аналогии с a-Se, показано, что центры, соединенные сильной связью, могут сосуществовать в виде жестких VAP-диполей. Обнаружено существование нежестких метастабильных гипервалентных конфигураций (ГВК) в форме ГВК-диполей, которые нейтральны и диамагнитны в основном состоянии и лежат на шкале энергии ниже C01. Дефекты типа гипервалентных конфигураций дают возможность не только объяснить повышение координационного числа в некристаллическом состоянии по сравнению с их кристаллическими аналогами, но и обсудить ряд свойств, которые обусловлены такими дефектами. Обсуждается влияние ГВК и VAP-диполей на свойства стеклообразных полупроводников, в том числе их роль в фотоиндуцированных эффектах.