Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияUniversity of Utah, Salt Lake City, UT, USA ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Doping in metal chalcogenide glasses
Girlani S.A., Yan B., Taylor P.C.
Girlani S.A., Yan B., Taylor P.C. Doping in metal chalcogenide glasses // ФТП, 1998, том 32, выпуск 8, Стр. 982
Аннотация Chalcogenide glasses that contain sufficient concentrations of metal atoms can be doped p-type. This doping results in part because the local structural order is tetrahedral at both the metal and the chalcogen sites in these glasses. At concentrations exceeding 1019 см-3, oxygen promotes doping by increasing the densities of dangling-bond defects at 3-fold-coordinated chalcogens, which are the doping sites in these glasses. For oxygen concentrations below 1019 см-3, the conductivity is independent of oxygen and, therefore, is controlled by other mechanisms. The compositions Cu6As4S9 and Cu6As4Se9 are studied because at these compositions the S (orSe) and Cu atoms are all tetrahedrally coordinated and there exist only Cu--S and As--S (or Cu--Se and As--Se) bonds.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален