Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Новый центр рекомбинации всильно легированном цинком арсениде галлия, полученном методом жидкофазной эпитаксии

Журавлев К.С., Шамирзаев Т.С., Якушева Н.А., Петренко И.П.

Журавлев К.С., Шамирзаев Т.С., Якушева Н.А., Петренко И.П. Новый центр рекомбинации всильно легированном цинком арсениде галлия, полученном методом жидкофазной эпитаксии // ФТП, 1998, том 32, выпуск 10, Стр. 1184

Аннотация Исследованы фотолюминесцентные свойства слоев p-GaAs : Zn ориентации (100), выращенных методом жидкофазной эпитаксии из галлиевого и висмутового расплавов при разных температурах. Установлено, что в исследованных слоях образуется новый центр излучательной рекомбинации. Концентрация центров возрастает с повышением уровня легирования пропорционально концентрации дырок в степени 5.35±0.1, причем показатель степени не зависит от металла--растворителя и температуры эпитаксии. Экспериментальные результаты объяснены в предположении, что центр является электронейтральным комплексом, в состав которого входят галлий на месте мышьяка и две вакансии мышьяка.