Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургская государственная педиатрическая медицинская академия, 194100 Санкт-Петербург, Россия *Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Долговременные структурные релаксации и фотоиндуцированная деградация в a-Si : H

Коугия К.В., Певцов А.Б.

Коугия К.В., Певцов А.Б. Долговременные структурные релаксации и фотоиндуцированная деградация в a-Si : H // ФТП, 1998, том 32, выпуск 10, Стр. 1263

Аннотация Проведено исследование влияния циклов прогрев--засветка на электрофизические свойства аморфного кремния, полученного ВЧ разложением силана. На основе сравнения экспериментальных и теоретических результатов сделан вывод о том, что фотоиндуцированная деградация a-Si : H (эффект Стаблера--Вронского) может быть связана с долговременными релаксациями структурных образований, вызванных предварительным отжигом материала.