Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияИнститут радиотехники и электроники Российской академии наук, 141120 Фрязино, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Проявление процесса денейтрализации подвижного заряда в SiO2 приспектроскопии границы раздела кремний--окисел

Дмитриев С.Г., Маркин Ю.В.

Дмитриев С.Г., Маркин Ю.В. Проявление процесса денейтрализации подвижного заряда в SiO2 приспектроскопии границы раздела кремний--окисел // ФТП, 1998, том 32, выпуск 12, Стр. 1445

Аннотация Полное число подвижных ионов в пленке окисла в МОП структуре на основе Si определялось традиционными методами вольт-фарадных и динамических вольт-амперных характеристик. Определена доля ионов, находящихся в нейтральном состоянии у границы раздела Si--SiO2. При спектроскопии границы раздела обнаружен пик в эффективной плотности пограничных состояний. Показано, что число состояний в пике плотности соответствует количеству нейтрализованных частиц. Обсуждается механизм нейтрализации подвижного заряда ионов.