Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Непрерывная генерация при 293 K РО ДГС лазеров с одним слоем InAs квантовых точек в активной области, выращенных на вицинальных поверхностях GaAs (001), разориентированных в направлении [010]

Евтихиев В.П., Кудряшов И.В., Котельников Е.Ю., Токранов В.Е., Титков А.Н., Тарасов И.С., Алферов Ж.И.

Евтихиев В.П., Кудряшов И.В., Котельников Е.Ю., Токранов В.Е., Титков А.Н., Тарасов И.С., Алферов Ж.И. Непрерывная генерация при 293 K РО ДГС лазеров с одним слоем InAs квантовых точек в активной области, выращенных на вицинальных поверхностях GaAs (001), разориентированных в направлении [010] // ФТП, 1998, том 32, выпуск 12, Стр. 1482

Аннотация Исследованы электролюминесценция и генерация лазеров с одним слоем InAs квантовых точек, выращенных в одном процессе молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках (001) GaAs, разориентированных в направлении [010] на 2, 4 и 6o. Обнаружено, что увеличение угла разориентации приводит к коротковолновому сдвигу и уменьшению полуширины спектров электролюминесценции. Наблюдаемый эффект объясняется уменьшением размеров квантовых точек и улучшением их однородности по размерам. Обнаружена сильная зависимость величины пороговой плотности тока от ширины спектра спонтанной люминесценции. Пороговая плотность тока при комнатной температуре лазеров с одним слоем квантовых точек и с минимальной полушириной спектра спонтанной люминесценции (54 мэВ) составила 210 А/см2.