Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияКалининградский государственный университет, 236041 Калининград, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование спектров фоточувствительности гетероперехода n-GaAs--As2Se3

Аржанухина И.П., Корнев К.П., Селезнев Ю.В.

Аржанухина И.П., Корнев К.П., Селезнев Ю.В. Исследование спектров фоточувствительности гетероперехода n-GaAs--As2Se3 // ФТП, 1999, том 33, выпуск 1, Стр. 64

Аннотация Представлены результаты исследования спектральных характеристик фотоотклика гетеропереходов n-GaAs--аморфная пленка As2Se3 при разной толщине пленки халькогенидного стеклообразного полупроводника. Получены формулы для расчета: доли света, поглощенной в халькогенидном стеклообразном полупроводнике; доли света, поглощенной в GaAs при учете многократных отражений от границ раздела в исследованной структуре; а также их отношения. Проводятся анализ поглощения света в структуре и модель формирования фотоотклика гетероструктуры. Показано хорошее соответствие экспериментальных и расчетных данных.