Профиль » Публикация

Аннотация Вольт-амперные характеристики, фоточувствительность и импеданс были исследованы для структур Al/пористый кремний/c-Si (p-типа) с толщиной пористого слоя 0.2/6 мкм и пористоcтью 80%. Показано, что в области обратных и небольших прямых смещений ток определяется потенциальным барьером подложки c-Si у изотипного гетероперехода <пористый кремний>/c-Si. Фоточувствительность определяется поглощением света в подложке c-Si. Потенциальный барьер контакта металл/<пористый кремний> не влияет на фоточувствительность и на вольт-амперные характеристики структур. Экспериментальные зависимости импеданса структур от приложенного постоянного смещения, толщины слоя пористого кремния и частоты хорошо согласуются с теоретическими, если использовать эквивалентную схему, включающую две последовательно соединенные параллельные RC-цепочки из сопротивления и геометрической емкости слоя пористого кремния, а также сопротивления и емкости потенциального барьера подложкиc-Si.