Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Механизмы излучательной рекомбинации влазерах наоснове двойных гетероструктур InGaAsSb / InAsSbP, работающих вдиапазоне3.0/ 3.6 мкм

Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н.

Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н. Механизмы излучательной рекомбинации влазерах наоснове двойных гетероструктур InGaAsSb / InAsSbP, работающих вдиапазоне3.0/ 3.6 мкм // ФТП, 1999, том 33, выпуск 2, Стр. 233

Аннотация Показано, что в зависимости от состава активной области и (или) ограничивающих слоев на гетерограницах могут быть реализованы гетеропереходыI илиIIтипа. Это определяет различие в механизмах излучательной рекомбинации, температурных зависимостях длины волны излучения, типе поляризации излучения, вольт-амперных характеристиках.