Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Эффективное время жизни носителей заряда вваризонных структурах наоснове CdHgTe

Осадчий В.М., Сусляков А.О., Васильев В.В., Дворецкий С.А.

Осадчий В.М., Сусляков А.О., Васильев В.В., Дворецкий С.А. Эффективное время жизни носителей заряда вваризонных структурах наоснове CdHgTe // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 293

Аннотация Проведены расчеты эффективного времени жизни носителей заряда в варизонных структурах из n-CdHgTe с учетом оже-рекомбинации и рекомбинации на дислокациях. Показано, что введение варизонных широкозонных слоев позволяет исключить влияние поверхностной рекомбинации и получить высокие эффективные времена жизни даже при высоких плотностях дислокаций (выше 107 см-2). Получено согласие измеренных и рассчитанных времен жизни носителей заряда в варизонных структурах, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии.