Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияГосударственный университет Молдовы, МД 20009 Кишинев, Молдавия *Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия &#36;Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербу ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Поляризационная фоточувствительность гетеропереходов GaN/Si

Ботнарюк В.М., Бельков В.В., Жиляев Ю.В., Раевский С.Д., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Федоров Л.М.

Ботнарюк В.М., Бельков В.В., Жиляев Ю.В., Раевский С.Д., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Федоров Л.М. Поляризационная фоточувствительность гетеропереходов GaN/Si // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 297

Аннотация Разработана технология получения гетеропереходов n-GaN/Si, включающая химическое осаждение слоев GaN с толщинами до20 мкм на подложкиSi в открытой газотранспортной системе. Исследованы фотоэлектрические свойства изо- и анизотипных гетеропереходов в естественном и линейно поляризованном излучении. Обнаружена поляризационная фоточувствительность, возникающая при наклонном падении линейно поляризованного излучения на поверхность слоев GaN. Коэффициент наведенного фотоплеохроизма увеличивается с углом паденияtheta по квадратичному закону и при theta=~ 75o достигает20%. Сделан вывод о возможности использования гетеропереходов GaN/Si в качестве широкополосных фотоанализаторов линейно поляризованного излучения.