Профиль » Публикация

Аннотация Исследованы вольт-амперные характеристики и фотоэдс диодных структур Pd/por-Si/n-Si в интервале температур 106-300 K. Прямая ветвь вольт-амперной характеристики при комнатной температуре экспоненциальна с коэффициентом неидеальности n>~= 12. При низкой температуре и высоком уровне инжекции зависимость тока от напряжения носит степенной характер с показателем степени, равным4.1. Обнаружено усиление фототока при увеличении обратного смещения; коэффициент усиления достигал значения103 при смещении более10 В и при106 K. Сделан вывод о преобладании механизма двойной инжекции носителей заряда в процессе переноса тока через пористый слой. При воздействии газообразного водорода фотоэдс уменьшается по величине на3, а темновые токи--- на 1порядок. Исследованные структуры характеризуются значительными релаксационными временами как нарастания токов, так и восстановления токов и фотоэдс--- после воздействия водорода. Влияние водорода на фотоэлектрические характеристики связывается с образованием дополнительного дипольного слоя на границе Pd/por-Si, понижающего барьер Шоттки.