Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Бистабильность электролюминесценции вдвойной гетероструктуре IIтипаAlGaAsSb/InGaAsSb

Журтанов Б.Е., Моисеев К.Д., Михайлова М.П., Воронина Т.И., Стоянов Н.Д., Яковлев Ю.П.

Журтанов Б.Е., Моисеев К.Д., Михайлова М.П., Воронина Т.И., Стоянов Н.Д., Яковлев Ю.П. Бистабильность электролюминесценции вдвойной гетероструктуре IIтипаAlGaAsSb/InGaAsSb // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 357

Аннотация Обнаружена бистабильность электролюминесценции в гетероструктуре IIтипа P-AlGaAsSb/p-InGaAsSb/N-AlGaAsSb со слабо легированными ограничительными слоями и узкозонной активной областью (ширина запрещенной зоны Eg=326 мэВ при температуре T=77 K). В прямой ветви вольт-амперной характеристики наблюдалось отрицательное дифференциальное сопротивление, контролируемое током. На конечном участке отрицательного дифференциального сопротивления наблюдалась интенсивная электролюминесценция с узкой полосой (полуширина ~ 7/ 10 мэВ), при этом энергия фотона в максимуме излучения превышала на 50 мэВ ширину запрещенной зоны узкозонного материала. Этот эффект объясняется туннельной инжекцией и непрямой излучательной рекомбинацией носителей, локализованных на гетерогранице AlGaAsSb/InGaAsSb. С ростом напряжения основной вклад начинают вносить излучательные переходы в объеме активной области и максимум излучения скачком сдвигается в длинноволновую сторону. Такие туннельно-инжекционные структуры могут быть использованы для создания управляемых током высокоэффективных светоизлучающих диодов.